2N7000-D26Z

功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

制造商:on semiconductor

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):400mW(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-92-3

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)

基本零件编号:2N7000

标准包装:1

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